电池知识
华虹半导体取得增加闪存器件工艺窗口专利
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司取得一项名为“增加闪存器件工艺窗口的方法”的专利，授权公告号CN115692180B，申请日期为2022年11...
鹏爱半导体取得塑封芯片检测装置专利，大大提高了检测效率
国家知识产权局信息显示，深圳市鹏爱半导体有限公司取得一项名为“一种塑封芯片检测装置”的专利，授权公告号CN223885615U，申请日期为2025年3月。 专利...
沾AI就火？民爆光电跨界收购斩获4个涨停，监管火速“亮剑”
民爆光电的K线图，最近走得相当不讲道理。完全不看大盘脸色，自己连拉4个20厘米涨停，股价从40多块飙到了90块，上演了一场纯粹的狂欢。 只不过狂欢太上头，直接把...
暖阳半导体取得Micro-LED芯片多工位拉曼检测装置专利
国家知识产权局信息显示，江苏暖阳半导体科技有限公司取得一项名为“一种Micro-LED芯片多工位拉曼检测装置”的专利，授权公告号CN120177369B，申请日...
超级电容板块2月6日涨0.43%，杉杉股份领涨，主力资金净流入9.14亿元
证券之星消息，2月6日超级电容板块较上一交易日上涨0.43%，杉杉股份领涨。当日上证指数报收于4065.58，下跌0.25%。深证成指报收于13906.73，下...
光库科技取得模斑高效转换光电集成芯片专利
国家知识产权局信息显示，珠海光库科技股份有限公司取得一项名为“一种模斑高效转换的光电集成芯片”的专利，授权公告号CN116859527B，申请日期为2023年7...
其他电子板块2月6日跌0.5%，民德电子领跌，主力资金净流出3.55亿元
证券之星消息，2月6日其他电子板块较上一交易日下跌0.5%，民德电子领跌。当日上证指数报收于4065.58，下跌0.25%。深证成指报收于13906.73，下跌...
华力集成取得存储器浮栅制作方法专利
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司取得一项名为“存储器浮栅的制作方法”的专利，授权公告号CN114999906B，申请日期为2022年6月。 ...
AMD向中国卖AI芯片，3个月挣了27亿元
芯东西（公众号：aichip001） 作者 | ZeR0 编辑 | 漠影 芯东西2月4日报道，今日，AMD发布最新财报，第四季度和全年营收及净利润均创历史新高。...
甚湖科技取得芯片装片机专利
国家知识产权局信息显示，浙江甚湖科技有限公司取得一项名为“一种芯片装片机”的专利，授权公告号CN120674379B，申请日期为2025年6月。 天眼查资料显示...
力智创新取得用于开关锁的旋转驱动装置专利，降低制作成本
国家知识产权局信息显示，深圳力智创新技术有限公司取得一项名为“一种用于开关锁的旋转驱动装置”的专利，授权公告号CN223881165U，申请日期为2025年3月...
小马易行取得车载接口保护电路专利
国家知识产权局信息显示，北京小马易行科技有限公司取得一项名为“车载接口的保护电路和车辆”的专利，授权公告号CN114884012B，申请日期为2022年4月。 ...
深南电路取得POFV设计电路板及其制备方法专利
国家知识产权局信息显示，深南电路股份有限公司取得一项名为“一种POFV设计的电路板及其制备方法”的专利，授权公告号CN116997092B，申请日期为2023年...
贵州电网申请磁通门传感器检测用输送装置专利，实现对出现虚焊的磁通门进行快速精准的检测
国家知识产权局信息显示，贵州电网有限责任公司申请一项名为“一种磁通门传感器检测用输送装置”的专利，公开号CN121448811A，申请日期为2024年4月。 专...
尚睿微电子取得射频功率放大器专利
国家知识产权局信息显示，尚睿微电子（上海）有限公司取得一项名为“一种射频功率放大器”的专利，授权公告号CN121036712B，申请日期为2025年10月。 声...
高特电子IPO状态变更为注册生效
根据深交所最新披露的信息，2026年2月6日，杭州高特电子设备股份有限公司IPO的状态从提交注册变更为注册生效。
秦创原·长安电子信息科技产业园-长安区-交通便利-租售电话-灵活分割
西安「秦创原·长安电子信息科技产业园」 服务热线：029-88866618（咨询中心） 项目地址：029-88866618（致电发送详情地址） 如需了解最新房源...
道明光学跌2.02%，成交额1805.20万元，主力资金净流出202.66万元
来源：新浪证券-红岸工作室 1月27日，道明光学盘中下跌2.02%，截至09:36，报12.63元/股，成交1805.20万元，换手率0.24%，总市值78.8...
智新控制系统申请图腾柱PFC电路零点尖峰电流抑制装置及方法专利，能够避免电流换相延迟导致的电流尖峰问题
国家知识产权局信息显示，智新控制系统有限公司申请一项名为“图腾柱PFC电路的零点尖峰电流抑制装置及方法”的专利，公开号CN121461744A，申请日期为202...
英飞凌取得制造具有侧壁密封的半导体芯片的方法专利
国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司取得一项名为“制造具有侧壁密封的半导体芯片的方法”的专利，授权公告号CN114008747B，申请日期为2020...