国家知识产权局信息显示,北京紫亦芯集成电路有限公司申请一项名为“一种扇出型倒装芯片封装空腔结构及封装方法”的专利,公开号CN121712370A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明公开了一种扇出型倒装芯片封装空腔结构及封装方法,包括一对扇出型导电结构A并间隔形成空腔;扇出型导电结构A上端面设导电端及空腔侧的铜柱虚拟坝;芯片设两组焊脚,一组与导电端电连接,另一组与铜柱虚拟坝机械连接;扇出型导电结构A表面电镀铜柱,扇出型导电结构A上有包覆芯片及铜柱的EMC层;EMC层上方设扇出型导电结构B,扇出型导电结构B下层金属通过通孔或开口与铜柱顶端及芯片上表面电性导通;扇出型导电结构B顶部预设焊盘处设BGA球;扇出型导电结构A底部贴装电容,且底部有包覆电容的第二热解胶层。铜柱虚拟坝在模塑中提供机械支撑,彻底解决芯片位移问题;避免热解胶的使用,消除化学蚀刻对粘性的影响。
天眼查资料显示,北京紫亦芯集成电路有限公司,成立于2024年,位于北京市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本21000万人民币。通过天眼查大数据分析,北京紫亦芯集成电路有限公司参与招投标项目25次,专利信息14条,此外企业还拥有行政许可1个。
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