铠侠申请半导体存储装置及其制造方法专利，具有优良特性
创始人
2026-03-23 20:21:02
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置及其制造方法”的专利，公开号CN121712012A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种具有优良特性的半导体存储装置及其制造方法。半导体存储装置具备：多个第1导电层，排列在第1方向上，沿着与所述第1方向交叉的第2方向、以及与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向延伸；以及存储器构造，沿着所述第1方向延伸，且包含与所述多个第1导电层对向的第1半导体层及设置在所述第1半导体层与所述多个第1导电层之间的栅极绝缘层。所述第1半导体层包含单晶化的硅及杂质。所述杂质包含：第1金属元素，能够形成硅化物；以及第2金属元素，构成线膨胀系数比硅材料大的金属材料。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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