爱思开海力士申请半导体封装件和封装基板专利，成型层围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片
创始人
2026-04-01 20:03:35
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体封装件和封装基板”的专利，公开号CN121772786A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体封装件和封装基板。半导体封装件包括：封装基板，其包括主体层和设置在主体层上的第一绝缘层；安装在封装基板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；以及填充封装基板与第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的空间的成型层，成型层围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片。主体层包括：与第一半导体芯片竖直地交叠的第一芯片交叠区域；与第二半导体芯片竖直地交叠的第二芯片交叠区域；以及在第一芯片交叠区域与第二芯片交叠区域之间的中间区域。第一绝缘层包括第一开口，该第一开口与第一半导体芯片的面对第二半导体芯片的第一侧表面和第二半导体芯片的面对第一半导体芯片的第二侧表面竖直地交叠。
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来源：市场资讯
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