丽晶美能申请平面栅SiC MOSFET器件结构及其制备方法专利，改善了器件的沟道迁移率并降低导通电阻_电池资讯

丽晶美能申请平面栅SiC MOSFET器件结构及其制备方法专利，改善了器件的沟道迁移率并降低导通电阻

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2025-07-25 13:11:24

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金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，丽晶美能（北京）电子技术有限公司申请一项名为“一种平面栅SiC MOSFET器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN120379312A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明提供了一种平面栅SiC MOSFET器件结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该平面栅SiC MOSFET器件结构包括由下至上依次包含N+型SiC衬底、N型SiC外延层及N型Si外延层，在N型Si外延层和N型SiC外延层中通过注入和退火形成P型基区、N+源极区和P+接触区，在JFET区域形成的沟槽结构，所述沟槽结构底部注入形成有P+屏蔽层，并氧化生长形成栅介质层，沟槽内部通过淀积形成多晶硅栅极结构；在器件结构表面形成的源极金属层和栅极金属层，以及在N+型SiC衬底背面形成的漏极金属层。改善了器件的沟道迁移率并降低导通电阻，降低了JFET区域的电流导通电阻，提高了JFET区域的通流能力。

天眼查资料显示，丽晶美能（北京）电子技术有限公司，成立于2014年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2777.78万人民币。通过天眼查大数据分析，丽晶美能（北京）电子技术有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息3条，专利信息11条，此外企业还拥有行政许可2个。

来源：金融界

企业显示平面沟槽降低器件外延金属层结构专利丽晶美能 SiC N型

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