金融界2025年8月4日消息,国家知识产权局信息显示,宁波卿云创芯科技有限公司申请一项名为“一种具有标准单元结构的MOS管版图自动生成方法”的专利,公开号CN120409403A,申请日期为2025年03月。
专利摘要显示,本发明公开了一种具有标准单元结构的MOS管版图的自动生成方法,生成MOS管单指Pcell后增加电源轨道和接地轨道形成独立单元结构,再根据MOS管的插指数量对独立单元结构进行水平镜像后按照栅极宽度对齐,水平排列,形成一个整体单元结构,在整体单元结构的每个独立单元结构中分别增加源极引脚标注、漏极引脚标注和栅极引脚标注,并分别在源极引脚、漏极引脚和栅极引脚上增加通孔连接不同金属层,还在所生成的整体单元结构的左侧和右侧分别添加一个缓冲结构,然后生成MOS管版图的GDS文件;优点是在MOS管版图自动生成后,不需要手动调整,效率较高,并且可支持数模混合电路版图自动化。
天眼查资料显示,宁波卿云创芯科技有限公司,成立于2024年,位于宁波市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析,宁波卿云创芯科技有限公司专利信息8条。
来源:金融界