宁波卿云创芯申请具有标准单元结构的MOS管版图自动生成方法专利，MOS管版图自动生成后不需要手动调整
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2025-08-04 12:47:48
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金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，宁波卿云创芯科技有限公司申请一项名为“一种具有标准单元结构的MOS管版图自动生成方法”的专利，公开号CN120409403A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种具有标准单元结构的MOS管版图的自动生成方法，生成MOS管单指Pcell后增加电源轨道和接地轨道形成独立单元结构，再根据MOS管的插指数量对独立单元结构进行水平镜像后按照栅极宽度对齐，水平排列，形成一个整体单元结构，在整体单元结构的每个独立单元结构中分别增加源极引脚标注、漏极引脚标注和栅极引脚标注，并分别在源极引脚、漏极引脚和栅极引脚上增加通孔连接不同金属层，还在所生成的整体单元结构的左侧和右侧分别添加一个缓冲结构，然后生成MOS管版图的GDS文件；优点是在MOS管版图自动生成后，不需要手动调整，效率较高，并且可支持数模混合电路版图自动化。
天眼查资料显示，宁波卿云创芯科技有限公司，成立于2024年，位于宁波市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，宁波卿云创芯科技有限公司专利信息8条。
来源：金融界
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