长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，降低了漏源极之间的漏电流
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2025-07-05 10:09:30
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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆”的专利，公开号CN120264835A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体器件包括：半导体本体，半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括阱区和接触区；接触区位于第一表面，阱区位于接触区靠近第二表面的一侧；栅极结构，栅极结构位于第一表面，并从第一表面延伸至半导体本体中；耗尽层，位于半导体本体中，且位于阱区靠近第二表面的一侧；耗尽层的导电类型与阱区的导电类型相同；其中，耗尽层包括至少一个开口，开口中填充半导体本体的材料。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目23次，专利信息51条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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