新忆科技申请存储阵列驱动电路及其操作方法专利，能够降低导通电阻_电池资讯

新忆科技申请存储阵列驱动电路及其操作方法专利，能够降低导通电阻

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2026-03-07 20:48:50

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国家知识产权局信息显示，北京新忆科技有限公司申请一项名为“存储阵列驱动电路及其操作方法”的专利，公开号CN121617440A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提出一种存储阵列驱动电路及其操作方法，其中，存储阵列驱动电路包括第一N型晶体管和第二N型晶体管，第一N型晶体管的栅极连接选中开启电压，漏极连接写入操作电压或读出操作电压，源极连接存储器的控制线和/或地址线；第二N型晶体管的栅极连接非选中开启电压，漏极连接第一N型晶体管的源极，源极连接非选中电压；采用同一个N型驱动晶体管导通写入操作电压和读出操作电压，N型驱动晶体管的栅极可以施加更高的电压，从而能够降低导通电阻；且电路面积上较小；在写入和读出操作时，通过将高电压施加至第一N型晶体管的栅极，使其同时具有导通较高的写入操作电压和较低的读出操作电压的能力。

天眼查资料显示，北京新忆科技有限公司，成立于2018年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本3218.1273万人民币。通过天眼查大数据分析，北京新忆科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息37条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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