长鑫科技申请半导体结构及其制作方法专利，可以得到具有较高性能的半导体结构_电池资讯

长鑫科技申请半导体结构及其制作方法专利，可以得到具有较高性能的半导体结构

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2026-03-14 01:57:43

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构以及半导体结构的制作方法”的专利，公开号CN121665535A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该制作方法包括：提供衬底；于衬底上形成由多个半导体材料层和多个绝缘材料层交替堆叠的叠层结构；于叠层结构中形成沟道区叠层和初始栅极柱，初始栅极柱至少包括初始栅导电层以及初始栅介质层，初始栅极柱具有两个相对的第一侧壁分别与相邻两个沟道区叠层接触以及第二侧壁不与沟道区叠层接触；至少去除位于第二侧壁上的栅介质层和栅导电层，以形成目标栅极柱，目标栅极柱具有两个相对的第三侧壁分别与相邻两个沟道区叠层接触，位于第三侧壁上的栅导电层具有第一长度以及栅介质层具有第二长度，第一长度小于第二长度，通过该制作方法可以得到的具有较高性能的半导体结构。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1078次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息666条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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