华力集成申请SONOS存储器及其制造方法专利，能降低器件的GIDL漏电
创始人
2026-03-17 15:58:45
0次
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“SONOS存储器及其制造方法”的专利，公开号CN121665638A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种SONOS存储器，存储单元的选择管和存储管的栅极结构都形成于单元阱区的顶部表面之上；选择管的阈值电压调节区呈非对称结构，包括：第一阈值电压注入区，形成于单元阱区表面区域中，第一阈值电压注入区的形成区域位于选择管的形成区域中且至少包括第一栅极结构所覆盖区域。第二阈值电压注入区，形成于单元阱区表面区域中，第二阈值电压注入区的形成区域位于选择管的源区的形成区域中且和第一栅极结构的第一侧面自对准。本发明还公开了一种SONOS存储器的制造方法。本发明能实现选择管的非对称阈值电压调节区，从而能降低器件的GIDL漏电；同时还能增加沟道的控制力，有效降低沟道漏电。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2082次，专利信息2771条，此外企业还拥有行政许可399个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
相关内容
热门资讯
莱尔微波取得多通道射频开关并行...
国家知识产权局信息显示，苏州莱尔微波技术有限公司取得一项名为“多通道射频开关并行可靠性测试与诊断方法...
同款示波器看质量！科翔电子的品...
在电子测量领域，示波器是工程师调试电路、分析信号的核心工具，被称作电子测量的 “眼睛”，其测量精度、...
芯翼信息科技取得浮空N阱防倒灌...
国家知识产权局信息显示，芯翼信息科技（上海）有限公司取得一项名为“浮空N阱防倒灌接口电路”的专利，授...
海图智能申请一二次融合电容取电...
国家知识产权局信息显示，安徽海图智能科技有限公司申请一项名为“一种面向一二次融合电容取电的能量管理方...
CPO等算力硬件股持续走低，沃...
CPO等 算力硬件股持续走低， 沃格光电触及跌停， 天孚通信、 德科立跌超10%， 罗博特科、 长芯...
丘钛科技取得图像传感器移动装置...
国家知识产权局信息显示，昆山丘钛微电子科技股份有限公司取得一项名为“图像传感器移动装置的制作方法及图...
中国电建集团西北勘测设计研究院...
国家知识产权局信息显示，中国电建集团西北勘测设计研究院有限公司取得一项名为“一种可拆卸式的传感器固定...
中兴微电子取得JTAG控制装置...
国家知识产权局信息显示，深圳市中兴微电子技术有限公司取得一项名为“一种JTAG控制装置及实现JTAG...
山东岱微电子取得写入速度控制方...
国家知识产权局信息显示，山东岱微电子有限公司取得一项名为“一种写入速度控制的方法、装置及介质”的专利...
安靠科技申请电子装置及制造方法...
国家知识产权局信息显示，安靠科技新加坡控股私人有限公司申请一项名为“电子装置及制造电子装置的方法”的...