华力集成申请SONOS存储器及其制造方法专利，能降低器件的GIDL漏电
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2026-03-17 15:58:45
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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“SONOS存储器及其制造方法”的专利，公开号CN121665638A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种SONOS存储器，存储单元的选择管和存储管的栅极结构都形成于单元阱区的顶部表面之上；选择管的阈值电压调节区呈非对称结构，包括：第一阈值电压注入区，形成于单元阱区表面区域中，第一阈值电压注入区的形成区域位于选择管的形成区域中且至少包括第一栅极结构所覆盖区域。第二阈值电压注入区，形成于单元阱区表面区域中，第二阈值电压注入区的形成区域位于选择管的源区的形成区域中且和第一栅极结构的第一侧面自对准。本发明还公开了一种SONOS存储器的制造方法。本发明能实现选择管的非对称阈值电压调节区，从而能降低器件的GIDL漏电；同时还能增加沟道的控制力，有效降低沟道漏电。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2082次，专利信息2771条，此外企业还拥有行政许可399个。
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来源：市场资讯
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