索尼申请防止层叠半导体装置接合强度降低的半导体装置及制造方法专利，当将半导体装置彼此层叠时能够防止彼此层叠的半导体装置之间的接合强度降低
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2025-07-08 22:10:06
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金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体装置和半导体装置制造方法”的专利，公开号CN120283300A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本技术涉及当将半导体装置彼此层叠时能够防止彼此层叠的半导体装置之间的接合强度降低的半导体装置以及半导体装置制造方法。所述半导体装置各自设置有：第一电极，其被第一绝缘膜覆盖；以及第二电极，其被所述第一绝缘膜和由与所述第一绝缘膜不同的材料制成的第二绝缘膜覆盖。所述第二电极的各侧面中的至少一个侧面被所述第二绝缘膜覆盖，并且所述第二电极的各侧面中的剩余侧面被所述第一绝缘膜覆盖。例如，本技术可以适用于如下的半导体装置：当将多个半导体装置彼此层叠时，各个所述半导体装置在层叠之前就要经历用于判定是否为合格品的检查。
来源：金融界
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