积塔半导体申请氮化镓基器件及其制备方法专利，能够降低晶格损伤率及欧姆接触电阻
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2026-08-15 14:51:13
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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基器件及其制备方法”的专利，公开号CN122579644A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明涉及第三代半导体器件制造技术领域，提供了一种氮化镓基器件及其制备方法。所述方法包括：形成基底，所述基底包括硅基衬底、形成于所述硅基衬底上的非掺杂GaN层及AlGaN层，所述AlGaN层上确定有欧姆接触区域；在低温注入工况下执行多步Si离子注入，于所述欧姆接触区域形成初始Si掺杂区，所述多步Si离子注入的能量‑剂量梯度递增；对所述初始Si掺杂区执行激光退火工艺以及低温快速热退火工艺，形成目标Si掺杂区；以及于所述AlGaN层上形成包括透明导电层与金属叠层的复合电极，所述透明导电层与所述目标Si掺杂区接触。本发明通过低温、梯度Si离子注入，结合激光与热退火协同技术以及电极优化，突破传统高温工艺限制，能够降低晶格损伤率及欧姆接触电阻。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1707499.4119万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2120次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1424条，此外企业还拥有行政许可206个。
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来源：市场资讯
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