无锡硅动力申请D-GaN驱动电路专利，降低开关过程中的电压突变率
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2025-06-20 13:09:25
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金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，无锡硅动力微电子股份有限公司申请一项名为“一种D-GaN驱动电路”的专利，公开号CN120185598A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种D‑GaN驱动电路，分段驱动模块，采用弱驱‑强驱分段控制策略，结合延时电路动态调节驱动强度，降低开关过程中的电压突变率，从而抑制EMI；比例采样模块，基于运放反馈和电流镜结构，将主功率管电流按比例缩小后采样，使采样电阻损耗趋近于零，提升系统转换效率，缓解动态导通电阻劣化，实现低损耗电流采样；快速放电模块，采用TVS器件在关断阶段泄放残余电荷，采用精准的快速放电电压钳位电路，通过瞬态电压抑制器（TVS）在关断阶段快速泄放栅极电荷，避免因电压过冲导致的器件击穿，解决了现有技术中栅极可靠性差、EMI干扰严重以及动态导通电阻劣化等问题。
天眼查资料显示，无锡硅动力微电子股份有限公司，成立于2003年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5990.9826万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡硅动力微电子股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息182条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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