电池资讯
苏州芯钛半导体申请芯片电性参数在线智能校准方法及系统专利，实现芯片电性参数在线实时校准
国家知识产权局信息显示，苏州芯钛半导体科技有限公司申请一项名为“一种芯片电性参数在线智能校准方法及系统”的专利，公开号CN121703627A，申请日期为202...
腾祥汽车取得汽车电磁开关反绕装置专利，提高汽车电磁开关的绕线效率
国家知识产权局信息显示，浙江腾祥汽车部件有限公司取得一项名为“汽车电磁开关反绕装置”的专利，授权公告号CN224020691U，申请日期为2025年4月。 专利...
明阳龙源申请电路参数调试方法专利，提高设计效率
国家知识产权局信息显示，广东明阳龙源电力电子有限公司申请一项名为“电路参数调试方法及调试系统、控制装置、存储介质”的专利，公开号CN121710335A，申请日...
每周股票复盘：旭光电子（600353）股东户数下降26.56%，净利增57.67%
截至2026年3月20日收盘，旭光电子（600353）报收于14.76元，较上周的16.0元下跌7.75%。本周，旭光电子3月16日盘中最高价报16.3元。3月...
常州首信智能制造申请双面多层印制电路板专利，可有效提高其散热性能
国家知识产权局信息显示，常州首信智能制造有限公司申请一项名为“一种双面多层印制电路板及其使用方法”的专利，公开号CN121711877A，申请日期为2025年1...
盐城中科高通量计算研究院申请基于Rockchip芯片的安卓车机系统多传感器数据融合方法专利，实现数据同步误差小于或等于5ms
国家知识产权局信息显示，盐城中科高通量计算研究院有限公司申请一项名为“一种基于Rockchip芯片的安卓车机系统多传感器数据融合方法”的专利，公开号CN1217...
华为取得电子机械制动装置专利，保证传感器与连接器的可靠导通
国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司取得一项名为“一种电子机械制动装置和车辆”的专利，授权公告号CN224013572U，申请日期为2025年4月。 专利摘...
华为数字能源申请MEMS继电器及供电设备专利，有利于MEMS继电器的体积的减小
国家知识产权局信息显示，华为数字能源技术有限公司申请一项名为“一种MEMS继电器及供电设备”的专利，公开号CN121709474A，申请日期为2024年9月。 ...
景旺电子申请PCB制作方法专利，提高过孔内孔壁第二电镀层可靠性
国家知识产权局信息显示，景旺电子科技（珠海）有限公司申请一项名为“PCB的制作方法及PCB”的专利，公开号CN121692554A，申请日期为2026年1月。 ...
北龙源开关设备申请开关柜巡检装置及其巡检方法专利，提高开关柜巡检装置功能的多样性
国家知识产权局信息显示，北京北龙源开关设备有限责任公司申请一项名为“一种开关柜巡检装置及其巡检方法”的专利，公开号CN121670700A，申请日期为2025年...
大洋电机公布国际专利申请：“功率因数校正电路及其控制方法、设备及存储介质”
证券之星消息，根据企查查数据显示大洋电机（002249）公布了一项国际专利申请，专利名为“功率因数校正电路及其控制方法、设备及存储介质”，专利申请号为PCT/C...
富立康科技取得高压固态铝电解电容器加工用切箔机专利，大幅缩短设备维修时间
国家知识产权局信息显示，富立康科技（南京）有限公司取得一项名为“一种高压固态铝电解电容器加工用切箔机”的专利，授权公告号CN224012511U，申请日期为20...
杭州中为光电取得拼棒机专利，达到拼棒机可以调整硅棒位置的技术效果
国家知识产权局信息显示，杭州中为光电技术有限公司取得一项名为“一种拼棒机”的专利，授权公告号CN224015818U，申请日期为2024年12月。 专利摘要显示...
显亮五金取得传感器金属壳体专利，防止盖板在振动环境下松脱增强结构稳定性
国家知识产权局信息显示，东莞市显亮五金制品有限公司取得一项名为“一种传感器金属壳体”的专利，授权公告号CN224019083U，申请日期为2025年5月。 专利...
贵州电网取得阵列式磁传感器及接地导体定位方法专利
国家知识产权局信息显示，贵州电网有限责任公司取得一项名为“一种阵列式磁传感器及接地导体定位方法”的专利，授权公告号CN115201724B，申请日期为2022年...
新标准乳化沥青微离子电荷仪 新标准乳化沥青微离子电荷试验器 乳化沥青微粒子电荷仪 乳化沥青微粒子电荷试验器 科宇仪器
一、引言：乳化沥青电荷检测的行业刚需 在道路工程领域，乳化沥青凭借施工便捷、节能环保等优势，被广泛应用于稀浆封层、粘层油、透层油等施工环节。其性能优劣直接关乎路...
江苏容方半导体取得碳化硅外延反应气体混合装置专利，实现气体初步混合与二次冲击混合
国家知识产权局信息显示，江苏容方半导体科技有限公司取得一项名为“碳化硅外延反应气体的混合装置”的专利，授权公告号CN224009512U，申请日期为2025年3...
英飞凌申请半导体晶体管器件及其制造方法专利，场电极沟槽旁的比电阻沿长度方向增加
国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“半导体晶体管器件及其制造方法”的专利，公开号CN121692700A，申请日期为2025年8月。 ...
云南中超电力取得速动油压继电器校验装置专利，使其固定在置物台上
国家知识产权局信息显示，云南中超电力科技开发有限公司取得一项名为“一种速动油压继电器校验装置”的专利，授权公告号CN224019939U，申请日期为2025年3...
晶镓半导体申请基于AlN衬底的紫外发光二极管V型坑开槽方法专利，提高了出光效率
国家知识产权局信息显示，山东晶镓半导体有限公司申请一项名为“一种基于AlN衬底的紫外发光二极管V型坑开槽方法”的专利，公开号CN121712160A，申请日期为...