黑晶光电申请薄膜结构制备方法专利，提高光线的利用率
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2026-07-08 05:20:59
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国家知识产权局信息显示，深圳黑晶光电技术有限公司申请一项名为“一种薄膜结构制备方法、薄膜结构及电池”的专利，公开号CN122349307A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本申请提供了一种薄膜结构制备方法、薄膜结构及电池，该方法包括：提供基片；在所述基片的一面制备基底层，所述基底层具有露出所述基片的表面的镂空区和覆盖于所述基片的表面的附着区；在所述基片靠近所述基底层的一面制备覆盖所述基底层的吸光层，使得所述吸光层对应所述附着区和所述镂空区的部位呈陷光结构。本申请通过在基片表面设置具有镂空区和附着区的基底层，在基底层上设置吸光层，通过基底层诱导吸光层，使得吸光层远离基片的一面呈现不同高低起伏，形成陷光结构，利用陷光结构使得射向吸光层的各种波长的光线都能发生偏折，从而能够兼容较宽范围内的光线，提高光线的利用率。
天眼查资料显示，深圳黑晶光电技术有限公司，成立于2019年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本3728.87万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳黑晶光电技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息147条，此外企业还拥有行政许可18个。
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来源：市场资讯
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