苏州能讯申请一种半导体器件及其制备方法专利，减小源极场板与栅极之间的电容
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2025-06-27 11:38:23
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金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，苏州能讯高能半导体有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN120224759A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括位于有源区的源极、漏极和第一栅极分部；还包括至少一层源极场板，源极场板包括同层设置的第一场板分部以及第二场板分部；第一场板分部与第二场板分部断开，且第二场板分部与源极电连接，形成非等电位的两个源极场板分部。采用上述技术手段，通过第一场板分部与第二场板分部在同一工作中断开，且两个分部不等电位，有且只有一个分部与源极等电位设置，能够减小源极场板与栅极之间的电容，提高半导体器件的频率响应。
天眼查资料显示，苏州能讯高能半导体有限公司，成立于2011年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本40284.5万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州能讯高能半导体有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息314条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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