在全球能源转型与半导体技术升级的交汇点上,#碳化硅 正以技术升级与产业化落地双轮驱动,重塑电力电子与高端制造的竞争格局。我国在SiC器件设计、模块封装及高端材料制备领域正不断取得新突破。近期,国内碳化硅产业链再传捷报:瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET实现百万级量产交付,珂玛科技超高纯碳化硅套件验证进展顺利。
近期,瞻芯电子开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品赢得多家重要客户订单,已量产交付近200万颗,为应用系统提供高效、可靠的解决方案。
瞻芯电子1200V 35mΩ SiC MOSFET是基于最新的第3代SiC MOSFET工艺平台开发的重要产品系列,具有4种型号,均按汽车级可靠性标准(AEC-Q101)设计和测试认证,具有低损耗、高可靠、高频开关等特点,其驱动电压推荐18V,且兼容15V。
该系列产品导通电阻(Ron)具有较低的温升系数,能在高温条件下,仍然保持较低的导通电阻,确保应用系统高效运行。其中首批量产的2款产品分别为TO247-4插件封装(IV3Q12035T4Z)和TO263-7贴片封装(IV3Q12035D7Z),通过了严格的AEC-Q101认证,更进一步配合多家知名光伏、充电桩客户完成了系统级测试和验证,进入批量交付阶段。
为满足不同应用场景的需求,该系列产品开发了4种封装型号,不仅具有成熟的TO247-4和TO263-7封装,而且还有更低寄生参数的TO247-4Slim封装,以及支持顶部散热的TC3Pak封装。同时,这4种封装均有开尔文源极引脚,可解耦驱动和功率回路,降低开关损耗 。
近期,珂玛科技在投资者互动平台披露多项业务进展,涉及苏州新基地、超高纯碳化硅套件验证等内容。
图片来源:珂玛科技
珂玛科技表示位于江苏苏州的先进材料生产基地已正式投产,重点布局陶瓷加热器、静电卡盘及超高纯碳化硅套件等“结构-功能”一体化模块产品。该基地投产后,公司产能将显著提升,并加速从传统陶瓷结构零部件向高附加值模块化产品的战略转型。据悉,该基地项目覆盖氧化铝、氧化锆、碳化硅、氮化铝、氮化硅、氧化钇和氧化钛陶瓷等产品的成熟产线。
超高纯碳化硅套件验证进展方面,产品纯度达99.99%,缺陷密度控制在≤1个/cm²,技术指标达国内领先水平。6英寸产品已量产供应北方华创等客户;8英寸产品客户端验证基本通过,正推进Fab端量产;12英寸部件(如晶舟、隔热片)进入设备验证阶段。
(文/集邦化合物半导体 Flora 整理)
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