在全球能源转型与半导体技术升级的交汇点上，#碳化硅 正以技术升级与产业化落地双轮驱动，重塑电力电子与高端制造的竞争格局。我国在SiC器件设计、模块封装及高端材料制备领域正不断取得新突破。近期，国内碳化硅产业链再传捷报：瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET实现百万级量产交付，珂玛科技超高纯碳化硅套件验证进展顺利。

1、瞻芯电子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量产交付应用

近期，瞻芯电子开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品赢得多家重要客户订单，已量产交付近200万颗，为应用系统提供高效、可靠的解决方案。

瞻芯电子1200V 35mΩ SiC MOSFET是基于最新的第3代SiC MOSFET工艺平台开发的重要产品系列，具有4种型号，均按汽车级可靠性标准(AEC-Q101)设计和测试认证，具有低损耗、高可靠、高频开关等特点，其驱动电压推荐18V，且兼容15V。

该系列产品导通电阻(Ron)具有较低的温升系数，能在高温条件下，仍然保持较低的导通电阻，确保应用系统高效运行。其中首批量产的2款产品分别为TO247-4插件封装（IV3Q12035T4Z）和TO263-7贴片封装（IV3Q12035D7Z），通过了严格的AEC-Q101认证，更进一步配合多家知名光伏、充电桩客户完成了系统级测试和验证，进入批量交付阶段。

为满足不同应用场景的需求，该系列产品开发了4种封装型号，不仅具有成熟的TO247-4和TO263-7封装，而且还有更低寄生参数的TO247-4Slim封装，以及支持顶部散热的TC3Pak封装。同时，这4种封装均有开尔文源极引脚，可解耦驱动和功率回路，降低开关损耗 。

2、珂玛科技多尺寸超高纯碳化硅产品推进中

近期，珂玛科技在投资者互动平台披露多项业务进展，涉及苏州新基地、超高纯碳化硅套件验证等内容。

图片来源：珂玛科技

珂玛科技表示位于江苏苏州的先进材料生产基地已正式投产，重点布局陶瓷加热器、静电卡盘及超高纯碳化硅套件等“结构-功能”一体化模块产品。该基地投产后，公司产能将显著提升，并加速从传统陶瓷结构零部件向高附加值模块化产品的战略转型。据悉，该基地项目覆盖氧化铝、氧化锆、碳化硅、氮化铝、氮化硅、氧化钇和氧化钛陶瓷等产品的成熟产线。

超高纯碳化硅套件验证进展方面，产品纯度达99.99%，缺陷密度控制在≤1个/cm²，技术指标达国内领先水平。6英寸产品已量产供应北方华创等客户；8英寸产品客户端验证基本通过，正推进Fab端量产；12英寸部件（如晶舟、隔热片）进入设备验证阶段。

（文/集邦化合物半导体 Flora 整理）

<<<欢迎评论区留言或者私信，获取更多化合物半导体相关内容