美新半导体申请MEMS传感器的非线性补偿方法专利,降低乘法器和中间变量位宽节约硬件资源
创始人
2025-08-06 14:12:04
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金融界2025年8月6日消息,国家知识产权局信息显示,美新半导体(无锡)有限公司申请一项名为“MEMS传感器的非线性补偿方法、存储介质和计算机”的专利,公开号CN120427043A,申请日期为2025年04月。

专利摘要显示,本发明提供一种MEMS传感器的非线性补偿方法、存储介质和计算机。所述非线性补偿方法包括:对初始非线性补偿公式进行定点量化并移位得到定点量化后的非线性补偿公式;对定点量化后的非线性补偿公式中的各项进行乘移位优化得到优化后的非线性补偿公式;基于优化后的非线性补偿公式对来自MEMS传感器的输入信号进行非线性补偿。这样,可以降低乘法器和中间变量位宽,以节约硬件资源。

天眼查资料显示,美新半导体(无锡)有限公司,成立于1999年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1750万美元。通过天眼查大数据分析,美新半导体(无锡)有限公司参与招投标项目3次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息204条,此外企业还拥有行政许可24个。

来源:金融界

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